28nm全覆盖！日本官宣后中企开始发力，倪光南愿景正在实现！

传统的芯片制造，需要用到大量的设备和辅材，欧美作为半导体的发源地，掌握了大量的基础技术以及核心专利，虽然日韩也有不俗的表现，但受困于美国，并不能给予中国太大的帮助。

(资料图片)

在“美日荷三方协议”签订之后，日本官宣将会限制23项造芯设备的出货，新规将于7月23号正式实施，而荷兰也宣布将从9月1号开始，限制ASML的中高端光刻机出货。

日本直接将限制范畴下探至45nm，而荷兰则只能出货用于38nm芯片制造的1980Di设备，之后中国获取海外设备将变得更为艰难，好在这样的现状也彻底激发了国内“自主研发”的决心。

就在近日，中国电科官宣了好消息，突破了离子注入机核心技术，后续将实现28纳米工艺的全覆盖， 目前整个市场运用最广泛的芯片就是28nm，这将有力保障我国集成电路成熟工艺的产业安全。

华为完成了14nm国产 EDA 软件的突破、配合上中芯国际的14nm工艺量产、如今结合中国电科的等离子注入机，中国芯片产业是否能够摆脱欧美的“卡脖子”呢？

华为的5nm芯片、中芯国际的14nm工艺、中微半导体的5nm刻蚀机等等，充分代表着中国半导体在各个领域的巅峰，很多国人也被这样的数据“蒙蔽了双眼”，产生了过度的自嗨，认为中国半导体产业的困局很快就能够解决了。

但实际上并非这么回事，国内仅仅实现了单项技术的拔尖，并未突破一条完整的供应链，就比如中芯国际虽然能够量产14nm芯片，但在光刻机、光刻胶等等设备、辅材上，依旧要依赖海外企业，而其中最广泛的来源就是“三方协议”中的日本、荷兰。

在日本、荷兰跟进新规之后，被限制的范畴将下探到45纳米，造芯的19种关键辅材中，有14种来自日本的企业， 且市场垄断率在90%以上，如果不能解决这方面的问题，后续真有可能向外媒所说的：“光刻机将变成废铁！”

倪光南等国内多位院士，曾多次呼吁要把重心放在28nm等成熟工艺上，对于目前的中国而言，最缺失的技术在于制造层面，这其中涉及到了复杂的设备以及工艺极高的辅材，院士给出的结论是加速突破成熟工艺，才能够缓解产业发展带来的困局。

如今倪光南院士的愿景正在实现，中国电科传来了好消息，目前已经实现了离子注入机的国产化，并且实现了28纳米工艺的全覆盖，百万电子伏特高能离子加速得以实现，掌握了中束流、大束流、高能和第三代半导体全谱系的自主可控，在性能对比上不输于国际顶尖水平。

离子注入机在造型过程中起到了关键作用，通过将离子注入到半导体材料中，以改变其电学性质，通过离子掺杂、区域掩蔽、杂质活化和控制掺杂剂浓度等作用，实现对半导体材料的性能调控和器件结构制造。

中国电科成立于2002年，经过数十年的研究，于2014年完成了12英寸中束流离子注入机的突破，2021年就实现了全谱系产品的覆盖，在近日工艺更上一层楼，实现了28nm工艺的全覆盖，帮助国产芯片摆脱海外依赖的同时，还能大幅降低造芯成本。

中国半导体的发展前景

在美国芯片规则的实施下，中国反倒布局出了完全自主化的产业体系，而拜登团队的目的并非打垮中企，而是要将它们的技术限制在一定的范畴内，这样才能更好的帮助美企占据市场份额。

在美日荷三方协议签订之后，日本、荷兰相继公布了新规具体实施时间，而美企反倒得到了“解禁”，允许出货中国市场的产品更进一步，而日本为了一个“解禁”的承诺，反倒当起了这个“坏人”。

整个过程的操弄，也让我们彻底看清了美国的“面孔”，利益永远是摆在第一位的，根本就没有所谓的国际合作，全球化的氛围已然崩塌，自己有的东西才能够靠得住，完全自主化的体系必须要成型。

伴随着物联网、智能汽车等等产业的发展，28纳米芯片的需求不断的上涨，市场的潜力早已超越了7nm及以下工艺，因此倪光南院士的呼吁是对的，先突破成熟工艺的枷锁，才有望打破欧美的技术垄断，对此你们是怎么看的？

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